Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


Forthcoming article
ZhETF, Vol. 158 , No. 2 , p. 365

Об особенностях локализации света в холестерических жидких кристаллах
Геворгян А.А., Голик С.С., Геворгян Т.А.

Received: August 1, 2019

DOI: 10.31857/S0044451020080143

PDF (446K)

Исследованы особенности локализации света в слое холестерического жидкого кристалла (ХЖК) при нормальном падении света. Показано сильное влияние диэлектрических границ на локализацию. При минимальном влиянии диэлектрических границ, т.е. при n_s=\sqrt {\varepsilon _m}, суммарное поле для собственных мод в слое ХЖК меняется плавно при смещении вдоль оси z, направленной вдоль оси среды (здесь \varepsilon _m - средняя диэлектрическая проницаемость слоя ХЖК, а ns - коэффициент преломления внешней среды). При отличии ns от \sqrt {\varepsilon _m} или при отличии поляризации падающего света от поляризации собственных мод появляются осцилляции в зависимости энергии суммарной волны в слое ХЖК от z. Показано, что количество накопленной энергии в слое ХЖК зависит от величины ns и полная накопленная энергия в слое ХЖК монотонно увеличивается с ростом ns.

 
Report problems