Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 151, No. 4, p. 767 (April 2017)
(English translation - JETP, Vol. 124, No. 4, April 2017 available online at www.springer.com )

Рассеяние экситонного поляритона на примесных центрах в GaAs
Зайцев Д.А., Кавокин А.В., Сейсян Р.П.

Received: October 18, 2016

DOI: 10.7868/S0044451017040162

PDF (294.6K)

Рассеяние экситонного поляритона примесными центрами при низких температурах мало исследовано, несмотря на его существенную роль в процессах, сопровождающих бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонного поляритона. С целью изучения особенностей взаимодействия экситонного поляритона с примесными центрами мы предприняли изучение интегрального поглощения основного состояния n0=1 экситона в GaAs в тонких пластинах микронной толщины, имеющих заметное оптическое пропускание. Сравнительное исследование пропускания в окрестности экситонного резонанса, выполненное на 15 образцах кристаллических пластин GaAs с различной концентрацией примеси N, обнаружило неожиданную закономерность. В то время как N возрастает почти на пять десятичных порядков величины, нормализованное спектрально-интегрированное поглощение света обнаруживает слабый рост, подчиняясь степенной зависимости от концентрации Nm, где m=1/6. Показано, что эта зависимость является свидетельством диффузионного механизма распространения экситонного поляритона сквозь толщу полупроводника, которое присутствует наряду с баллистическим проникновением света сквозь образец.

 
Report problems