Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 152, No. 3, p. 552 (September 2017)
(English translation - JETP, Vol. 125, No. 3, September 2017 available online at www.springer.com )

Электрооптический эффект в плазмонной структуре «стекло-In2O3: Sn-сегнетоэлектрик-Al с субволновой решеткой»
Блинов Л.М., Лазарев В.В., Юдин С.Г., Артемов В.В., Горкунов М.В., Палто С.П.

Received: April 2, 2017

DOI: 10.7868/S0044451017090127

PDF (394.9K)

Исследуются спектральные особенности электрооптического эффекта, в котором внешнее напряжение изменяет показатель преломления сегнетоэлектрика-сополимера. Используются три наноструктуры, из которых две играют вспомогательную роль, а основная структура состоит из стеклянной подложки, прозрачного слоя ITO (In2O3:Sn), слоя активного сополимера и слоя Al с нанорешеткой. Такая решетка с периодом 400 нм удовлетворяет условиям возбуждения плазмонных резонансов. Во всех структурах исследовались коэффициенты пропускания света в спектральном диапазоне 400-900 нм. В спектрах пропускания наблюдаются два характерных плазмонных провала, один из которых связан с границей сополимер-ITO, а другой - с границей сополимер-Al. Слои алюминия и ITO играют роль электродов, подводящих импульсы напряжения (от 0 до 15 В) к слою сополимера. При исследовании электрооптического эффекта обнаружены спектральные сдвиги полос плазмонного резонанса при увеличении амплитуды как положительных, так и отрицательных импульсов напряжения (квадратичный эффект). Эти сдвиги изменяют эффективные значения показателей преломления (neff) в отдельных элементах структуры, достигая минимальной отрицательной добавки Δ eff=-0.06.

 
Report problems