Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 153, No. 1, p. 137 (January 2018)
(English translation - JETP, Vol. 126, No. 1, January 2018 available online at www.springer.com )

Зависимости туннельного магнитосопротивления и переноса спинового момента от размеров и концентрации наночастиц в магнитных туннельных наноконтактах
Исмаили А.М., Усеинов А.Н., Усеинов Н.Х.

Received: February 4, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018010121

PDF (327K)

Вычислены зависимости туннельного магнитосопротивления и параллельной компоненты переноса спинового момента от приложенного напряжения в магнитном туннельном контакте. Расчет выполнен в приближении баллистического транспорта электронов проводимости через изолирующий слой с внедренными в него магнитными или немагнитными наночастицами. Однобарьерный магнитный туннельный контакт с внедренной в изолятор наночастицей образует двухбарьерный магнитный туннельный контакт. Показано, что значение параллельной компоненты переноса спинового момента в двухбарьерном магнитном туннельном контакте может быть больше, чем в однобарьерном для той же самой толщины изолирующего слоя. Согласно расчетам, внедренные в туннельный контакт наночастицы повышают вероятность туннелирования электронов, создают резонансные условия и обеспечивают квантование проводимости в отличие от туннельного контакта без наночастиц. Вычисленные зависимости туннельного магнитосопротивления соответствуют экспериментальным данным, в которых наблюдаются пикообразные аномалии и подавление максимальных значений магнитосопротивления при малых напряжениях.

 
Report problems