Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 153, No. 3, p. 409 (March 2018)
(English translation - JETP, Vol. 126, No. 3, March 2018 available online at www.springer.com )

К вопросу об энтальпии и энтропии образования точечных дефектов в кристаллах
Кобелев Н.П., Хоник В.А.

Received: October 25, 2017

DOI: 10.7868/S0044451018030070

PDF (226.5K)

Стандартный способ определения энтальпии H и энтропии S формирования точечных дефектов в кристаллах состоит в применении уравнения Аррениуса для концентрации дефектов. Показано, что формальное использование такого метода дает эффективные (кажущиеся) значения этих величин, которые оказываются существенно завышенными. Основная физическая причина этого состоит в зависимости энтальпии формирования дефектов от температуры, которая контролируется температурной зависимостью упругих модулей. Мы выполнили оценку «истинных» значений H и S для алюминия на основе экспериментальных данных с учетом температурной зависимости энтальпии образования, обусловленной температурной зависимостью упругих модулей. Знание «истинных» активационных параметров необходимо для корректного расчета концентрации дефектов и представляет, таким образом, проблему особой важности для различных фундаментальных и прикладных вопросов физики конденсированного состояния и химии.

 
Report problems