Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 153, No. 6, p. 945 (June 2018)
(English translation - JETP, Vol. 126, No. 6, June 2018 available online at www.springer.com )

Роль кластерной структуры в магнетизме аморфного сплава Fe67Cr18B15 и в смене механизмов рассеяния электронов под воздействием ионного (Ar+) облучения
Окунев В.Д., Самойленко З.А., Szymczak R., Szymczak H., Szewezyk A., Malinovski A., Wieckowski J., Wolny-Marszalek M., Jezabek M., Антошина И.А.

Received: December 24, 2017

DOI: 10.7868/S004445101806010X

PDF (975.3K)

Изучен вклад разномасштабных кластеров в магнетизм и переключение механизмов рассеяния электронов в аморфном сплаве Fe67Cr18B15 при ионном (Ar+) облучении. Установлено, что кластерный магнетизм связан с присутствием двух типов кластеров: больших, размером D=150-250 A α -фазы (Fe, Cr), и мелких, D=40-80 A, в разупорядоченной межкластерной среде. Генерация мелких FM- и AFM-кластеров ионным облучением приводит к формированию кластерного стекла, которое влияет на электрические свойства образцов и является основной причиной магнитной фрустрации. Показано, что температурная зависимость высоты барьера характеризует магнитное состояние образцов в слабых полях. Для системы в целом универсальной характеристикой является температурная зависимость параметра порядка. Для исходных образцов в интервале 98-300 K температурная зависимость удельного сопротивления \rho (T)\propto T^2 определяется рассеянием электронов на квантовых дефектах, переход в FM-состояние выявляется при анализе производной \partial \rho /\partial T\propto T. В сильнонеоднородных образцах после облучения потоком Φ =1.5• 1018 ион/см2 рост сопротивления и зависимость \rho (T)\propto T^{1/2} обусловлены эффектами слабой локализации; переход в FM-состояние становится явным при рассмотрении производной \partial \rho /\partial T\propto T^{-1/2}. Облучение потоком Φ =3• 1018 ион/см2 вызывает гигантское (вдвое) увеличение плотности, восстанавливает ферромагнетизм крупных кластеров, на 37% снижает сопротивление и возвращает зависимость \rho (T)\propto T^2, что обусловлено перекрытием генерируемых облучением мелких кластеров с увеличением их концентрации и ростом плотности образцов. Перекрытие кластеров понижает высоту барьера и уменьшает чувствительность образцов к влиянию внешнего поля. Из-за частичной экранировки магнитных моментов крупных кластеров средой со свойствами кластерного стекла зависимость \rho (T)\propto T^2 распространяется на весь исследуемый температурный интервал, T=2-300 K.

 
Report problems