Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 154, No. 3, p. 613 (September 2018)
(English translation - JETP, Vol. 127, No. 3, September 2018 available online at www.springer.com )

Формирование магнитной анизотропии пленок GaMnSb термообработкой
Дмитриев А.И., Кочура А.В., Кузьменко А.П., Паршина Л.С., Новодворский О.А., Храмова О.Д., Дмитриева М.С., Кочура Е.П., Васильев А.Л., Аронзон Б.А.

Received: April 12, 2018

DOI: 10.1134/S0044451018090000

PDF (3148.6K)

Определены условия и механизмы контролируемого изменения магнитной анизотропии посредством термообработки пленок GaMnSb, содержащих магнитные нановключения MnSb. С помощью СКВИД-магнитометра измерены температурные и полевые зависимости магнитного момента двух групп образцов - до и после отжига. Установлено, что термообработка пленок GaMnSb приводит к заметному увеличению характеристик, определяющихся магнитной анизотропией: температуры блокировки от 95 К до 390 К и поля магнитной анизотропии от 330 Э до 630 Э. Данные просвечивающей электронной микроскопии указывают на то, что изменение магнитной анизотропии пленок GaMnSb в результате термообработки может быть обусловлено переходом кристаллической структуры магнитных нановключений MnSb из гексагональной (пространственная группа P63/mmc) в кубическую (пространственная группа F-43m).

 
Report problems