Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 154, No. 6, p. 1102 (December 2018)
(English translation - JETP, Vol. 127, No. 6, December 2018 available online at www.springer.com )

Зонные и примесные состояния в алмазе с центрами (MV)- (M = Si, Ge, Sn) из вычислений abinitio
Маврин Б.Н.

Received: June 17, 2018

DOI: 10.1134/S0044451018120052

PDF (470.7K)

Методом ab initio вычислены структура, дисперсия электронных зон, парциальные (атомные и орбитальные) плотности электронных состояний и положение уровней примесно-вакансионного кластера (MV)- (M=Si, Ge, Sn) в алмазе. Волновые функции найдены в приближении метода функционала плотности с помощью гибридного обменно-корреляционного функционала, локализованного базисного набора гауссианов и сверхячейки из 192 атомов. Результаты сравниваются с нелегированным алмазом и с экспериментом. Обсуждается зависимость прямой и непрямой энергетической щели от типа кластера. Проведены расчеты с учетом спин-орбитального взаимодействия для идентификации примесных уровней, находящихся в валентной зоне. Обсуждается влияние электрон-электронного взаимодействия на положение примесных уровней. Обнаружен доминирующий вклад d-орбиталей в плотность состояний на примесном уровне во всех кластерах.

 
Report problems