Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 155, No. 3, p. 396 (March 2019)
(English translation - JETP, Vol. 128, No. 3, March 2019 available online at www.springer.com )

Эффект Фарадея в атомарных слоях рубидия с толщиной менее 100 нм
Саргсян А., Амирян А., Саркисян Д.

Received: July 30, 2018

DOI: 10.1134/S0044451019030027

PDF (12.2M)

Исследовано взаимодействие атомов рубидия с сапфировыми окнами ячейки при расстоянии L между окнами в интервале 40-100 нм. Для исследований использовался эффект фарадеевского вращения (ФВ) (вращение плоскости поляризации излучения в магнитном поле) в тонком столбе паров атомов рубидия на D1,2-линиях. С уменьшением L от 100 нм до 40 нм регистрируется «красный» сдвиг частоты сигнала ФВ, который возрастает от 10 МГц до 250 МГц, при этом уширение низкочастотного крыла возрастает до величины \sim 1 ГГц. Показано, что для такого рода исследований более удобным является атомный переход 85Rb, D1-линии F_g=3\rightarrow F_e=2, поскольку в этом случае удается его спектрально отделить от остальных сильно уширенных атомных переходов. Определены величины C3, которые характеризуют взаимодействие атом-поверхность для D1- и D2-линий Rb. Продемонстрировано, что при толщинах наноячейки L<100 нм с увеличением плотности атомов Rb происходит дополнительный частотный «красный» сдвиг, который отсутствует при больших L. Описано практическое применение сигнала ФВ для измерения сильных магнитных полей (в несколько кГс).

 
Report problems