Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 155, No. 6, p. 1091 (June 2019)
(English translation - JETP, Vol. 128, No. 6, June 2019 available online at www.springer.com )

Эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства топологического изолятора Sb2-xCuxTe3
Кульбачинский В.А., Зиновьев Д.А., Маслов Н.В., Кытин В.Г.

Received: October 25, 2018

DOI: 10.1134/S0044451019060130

PDF (279.8K)

Представлены результаты исследования влияния Cu на эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства монокристаллов p-Sb2-xCuxTe3 (0\leq x\leq 0.1). В рамках параболической модели энергетического спектра по частотам осцилляций магнитосопротивления рассчитаны концентрации дырок и энергия Ферми в Sb2-xCuxTe3. Показано, что легирование Cu дает акцепторный эффект и существенно повышает частоты осцилляций Шубникова-де Гааза. На зависимостях холловского сопротивления от магнитного поля наблюдаются плато. Зависимости сопротивления от температуры подчиняются степенному закону с показателем степени m=1.2, что характерно для рассеяния на фононах с вкладом рассеяния на ионизованных примесях. В отличие от других примесей показатель степени практически не изменяется при легировании Cu до максимальных исследованных концентраций.

 
Report problems