Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 156, No. 5, p. 1003 (November 2019)
(English translation - JETP, Vol. 129, No. 5, November 2019 available online at www.springer.com )

Строение и электронная структура a-SiNx:H
Гриценко В.А., Кручинин В.Н., Просвирин И.П., Новиков Ю.Н., Чин А., Володин В.А.

Received: February 15, 2019

DOI: 10.1134/S0044451019110166

PDF (2437.2K)

Работа посвящена исследованию атомарной структуры и электронного спектра пленок a-SiNx:H, выращенных с применением плазмохимического осаждения с варьированием потоков аммиака и моносилана, что позволило изменять стехиометрический параметр x в широких пределах (от 0.73 до 1.33). Пленки были исследованы с применением комплекса структурных и оптических методик с целью определения стехиометрического параметра x и его влияния на положение потолка валентной зоны и значение энергетической щели в плотности электронных состояний. Было проведено сравнение экспериментальных и рассчитанных значений параметров электронной структуры a-SiNx и получено достаточно хорошее их совпадение в широких пределах изменения состава (параметра x). Полученные экспериментальные данные позволят с лучшей точностью моделировать характеристики электронного транспорта в пленках нестехиометрического нитрида кремния, что важно для создания на их основе мемристоров.

 
Report problems