Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 156, No. 5, p. 925 (November 2019)
(English translation - JETP, Vol. 129, No. 5, November 2019 available online at www.springer.com )

Расчет ab initio примесно-вакансионных комплексов в алмазе при высоком давлении
Екимов Е.А., Ляпин С.Г., Разгулов А.А., Кондрин М.В.

Received: May 16, 2019

DOI: 10.1134/S0044451019110105

PDF (424.8K)

Оптические центры в алмазе являются возможными кандидатами на роль однофотонных эмиттеров для приложений в квантовых коммуникациях, биологии и медицине. Изучение барической зависимости положения их бесфононных линий поможет глубже понять электронные и структурные свойства оптических центров. Эти исследования также могут быть полезны для тонкой настройки фотонной эмиссии оптических центров в алмазе с помощью приложенных механических напряжений. Полученные в статье результаты расчетов ab intio показывают, что зависимость от давления положения бесфононных линий обусловлена перераспределением электронной плотности, в то время как эффекты, связанные с увеличением энергии связи под давлением, оказываются на порядок более слабыми.

 
Report problems