Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 157, No. 1, p. 109 (January 2020)
(English translation - JETP, Vol. 130, No. 1, January 2020 available online at www.springer.com )

Переход полупроводник-металл в магнитных полупроводниковых соединениях при высоком давлении
Арсланов Р.К., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В., Желудкевич А.Л.

Received: March 23, 2018

DOI: 10.31857/S0044451020010137

PDF (448.3K)

В нанокомпозитных ферромагнитных соединениях Zn0.1Cd0.9GeAs2+10%MnAs и Zn0.1Cd0.9GeAs2+15%MnAs с температурой Кюри T_C\approx 310-312 K исследованы магнитные, транспортные и магнитотранспортные параметры при высоком давлении до 7 ГПа и комнатной температуре. Поведения магнитных и электронных свойств под давлением указывают на наличие магнитного превращения и перехода полупроводник-металл, наступающих при одном и том же давлении P\approx 3.5 ГПа. В диапазоне магнитных полей до H=5 кЭ в обоих составах наблюдалось индуцированное высоким давлением магнитосопротивление. Из анализа экспериментальных данных следует, что магнитосопротивление в области перехода полупроводник-металл может описываться стандартной p-d-моделью, учитывающей обменное взаимодействие спинов носителей тока и магнитного момента, локализованного на примесях Mn. В этой области обнаружено гигантское магнитосопротивление, достигающее максимальной величины по сравнению с магнитосопротивлением при атмосферном давлении (Δ ρ xx0<1%) для состава с 15% кластеров MnAs. Основная причина возникновения усиленного магнитосопротивления, а также магнитных и электронных фазовых превращений связывается со структурным преобразованием матрицы под давлением.

 
Report problems