Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 158, No. 2, p. 357 (August 2020)
(English translation - JETP, Vol. 131, No. 2, August 2020 available online at www.springer.com )

Атомные модели поверхностей Si(110)-5\times 8 и Ge(110)-c(10\times 8)
Жачук Р.А.

Received: January 13, 2020

DOI: 10.31857/S0044451020080131

PDF (4.3M)

Рассмотрены атомные модели поверхностей Si(110)-5\times 8 и Ge(110)-c(10\times 8), построенные на основе универсального структурного блока семейства поверхностей Si(110) и Ge(110), предложенного ранее в работе [e20087-33]. С помощью расчетов ab initio показано, что данные модели демонстрируют значительно более низкую энергию, чем все модели структур 5\times 8 и c(10\times 8), предложенные ранее, и в деталях согласуются с экспериментальными изображениями сканирующей туннельной микроскопии этих поверхностей. Показано, что зигзагообразные атомные цепочки в структурах 5\times 8 и c(10\times 8) должны динамически изгибаться при комнатной и более высоких температурах, что может объяснить природу обратимых структурных переходов 16\times 2\leftrightarrow 5\times 8 и 16\times 2\leftrightarrow c(10\times 8) на поверхностях Si(110) и Ge(110).

 
Report problems