Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 158, No. 2, p. 365 (August 2020)
(English translation - JETP, Vol. 131, No. 2, August 2020 available online at www.springer.com )

Об особенностях локализации света в холестерических жидких кристаллах
Геворгян А.А., Голик С.С., Геворгян Т.А.

Received: August 1, 2019

DOI: 10.31857/S0044451020080143

PDF (445.5K)

Исследованы особенности локализации света в слое холестерического жидкого кристалла (ХЖК) при нормальном падении света. Показано сильное влияние диэлектрических границ на локализацию. При минимальном влиянии диэлектрических границ, т.е. при n_s=\sqrt {\varepsilon _m}, суммарное поле для собственных мод в слое ХЖК меняется плавно при смещении вдоль оси z, направленной вдоль оси среды (здесь \varepsilon _m - средняя диэлектрическая проницаемость слоя ХЖК, а ns - коэффициент преломления внешней среды). При отличии ns от \sqrt {\varepsilon _m} или при отличии поляризации падающего света от поляризации собственных мод появляются осцилляции в зависимости энергии суммарной волны в слое ХЖК от z. Показано, что количество накопленной энергии в слое ХЖК зависит от величины ns и полная накопленная энергия в слое ХЖК монотонно увеличивается с ростом ns.

 
Report problems