Journal of Experimental and Theoretical Physics
HOME | SEARCH | AUTHORS | HELP      
Journal Issues
Golden Pages
About This journal
Aims and Scope
Editorial Board
Manuscript Submission
Guidelines for Authors
Manuscript Status
Contacts


ZhETF, Vol. 159, No. 1, p. 35 (January 2021)
(English translation - JETP, Vol. 132, No. 1, January 2021 available online at www.springer.com )

Элементарный излучатель на границе плоскослоистой структуры
Петрин А.Б.

Received: July 13, 2020

DOI: 10.31857/S004445102101003X

PDF (484.9K)

Рассмотрена строгая теория излучения элементарного диполя, расположенного на границе или внутри плоскослоистой структуры. Для частного случая излучения диполя, расположенного на свободной границе одной пленки, продемонстрирован метод аналитического упрощения решения. Предложенный метод позволил привести выражения для излучаемых полей к одномерным интегралам, что существенно упростило анализ задачи и ускорило численные расчеты. В качестве конкретного технического приложения теории были получены диаграммы направленности точечных излучателей (молекул, наноструктур), расположенных на свободной поверхности металлической пленки в схеме Кречмана и имеющих индуцированный дипольный момент, направленный перпендикулярно поверхности пленки. Обсуждается влияние поверхностной волны на направленные свойства поверхностных излучателей.

 
Report problems