Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


Готовится к печати
Том 155 , Вып. 6 , стр. 1091

Эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства топологического изолятора Sb2-xCuxTe3
Кульбачинский В.А., Зиновьев Д.А., Маслов Н.В., Кытин В.Г.

Поступила в редакцию: 25 Октября 2018

DOI: 10.1134/S0044451019060130

PDF (279.8K)

Представлены результаты исследования влияния Cu на эффект Шубникова-де Гааза и электрофизические свойства монокристаллов p-Sb2-xCuxTe3 (0\leq x\leq 0.1). В рамках параболической модели энергетического спектра по частотам осцилляций магнитосопротивления рассчитаны концентрации дырок и энергия Ферми в Sb2-xCuxTe3. Показано, что легирование Cu дает акцепторный эффект и существенно повышает частоты осцилляций Шубникова-де Гааза. На зависимостях холловского сопротивления от магнитного поля наблюдаются плато. Зависимости сопротивления от температуры подчиняются степенному закону с показателем степени m=1.2, что характерно для рассеяния на фононах с вкладом рассеяния на ионизованных примесях. В отличие от других примесей показатель степени практически не изменяется при легировании Cu до максимальных исследованных концентраций.

 
Сообщить о технических проблемах