Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 153, Вып. 6, стр. 945 (Июнь 2018)
(Английский перевод - JETP, Vol. 126, No 6, June 2018 доступен on-line на www.springer.com )

Роль кластерной структуры в магнетизме аморфного сплава Fe67Cr18B15 и в смене механизмов рассеяния электронов под воздействием ионного (Ar+) облучения
Окунев В.Д., Самойленко З.А., Szymczak R., Szymczak H., Szewezyk A., Malinovski A., Wieckowski J., Wolny-Marszalek M., Jezabek M., Антошина И.А.

Поступила в редакцию: 24 Декабря 2017

DOI: 10.7868/S004445101806010X

PDF (975.3K)

Изучен вклад разномасштабных кластеров в магнетизм и переключение механизмов рассеяния электронов в аморфном сплаве Fe67Cr18B15 при ионном (Ar+) облучении. Установлено, что кластерный магнетизм связан с присутствием двух типов кластеров: больших, размером D=150-250 A α -фазы (Fe, Cr), и мелких, D=40-80 A, в разупорядоченной межкластерной среде. Генерация мелких FM- и AFM-кластеров ионным облучением приводит к формированию кластерного стекла, которое влияет на электрические свойства образцов и является основной причиной магнитной фрустрации. Показано, что температурная зависимость высоты барьера характеризует магнитное состояние образцов в слабых полях. Для системы в целом универсальной характеристикой является температурная зависимость параметра порядка. Для исходных образцов в интервале 98-300 K температурная зависимость удельного сопротивления \rho (T)\propto T^2 определяется рассеянием электронов на квантовых дефектах, переход в FM-состояние выявляется при анализе производной \partial \rho /\partial T\propto T. В сильнонеоднородных образцах после облучения потоком Φ =1.5• 1018 ион/см2 рост сопротивления и зависимость \rho (T)\propto T^{1/2} обусловлены эффектами слабой локализации; переход в FM-состояние становится явным при рассмотрении производной \partial \rho /\partial T\propto T^{-1/2}. Облучение потоком Φ =3• 1018 ион/см2 вызывает гигантское (вдвое) увеличение плотности, восстанавливает ферромагнетизм крупных кластеров, на 37% снижает сопротивление и возвращает зависимость \rho (T)\propto T^2, что обусловлено перекрытием генерируемых облучением мелких кластеров с увеличением их концентрации и ростом плотности образцов. Перекрытие кластеров понижает высоту барьера и уменьшает чувствительность образцов к влиянию внешнего поля. Из-за частичной экранировки магнитных моментов крупных кластеров средой со свойствами кластерного стекла зависимость \rho (T)\propto T^2 распространяется на весь исследуемый температурный интервал, T=2-300 K.

 
Сообщить о технических проблемах