Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 155, Вып. 3, стр. 396 (Март 2019)
(Английский перевод - JETP, Vol. 128, No 3, March 2019 доступен on-line на www.springer.com )

Эффект Фарадея в атомарных слоях рубидия с толщиной менее 100 нм
Саргсян А., Амирян А., Саркисян Д.

Поступила в редакцию: 30 Июля 2018

DOI: 10.1134/S0044451019030027

PDF (12.2M)

Исследовано взаимодействие атомов рубидия с сапфировыми окнами ячейки при расстоянии L между окнами в интервале 40-100 нм. Для исследований использовался эффект фарадеевского вращения (ФВ) (вращение плоскости поляризации излучения в магнитном поле) в тонком столбе паров атомов рубидия на D1,2-линиях. С уменьшением L от 100 нм до 40 нм регистрируется «красный» сдвиг частоты сигнала ФВ, который возрастает от 10 МГц до 250 МГц, при этом уширение низкочастотного крыла возрастает до величины \sim 1 ГГц. Показано, что для такого рода исследований более удобным является атомный переход 85Rb, D1-линии F_g=3\rightarrow F_e=2, поскольку в этом случае удается его спектрально отделить от остальных сильно уширенных атомных переходов. Определены величины C3, которые характеризуют взаимодействие атом-поверхность для D1- и D2-линий Rb. Продемонстрировано, что при толщинах наноячейки L<100 нм с увеличением плотности атомов Rb происходит дополнительный частотный «красный» сдвиг, который отсутствует при больших L. Описано практическое применение сигнала ФВ для измерения сильных магнитных полей (в несколько кГс).

 
Сообщить о технических проблемах