Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики
НАЧАЛО | ПОИСК | ДЛЯ АВТОРОВ | ПОМОЩЬ      e
Общая информация о журнале
Золотые страницы
Адреса редакции
Содержание журнала
Сообщения редакции
Правила для авторов
Загрузить статью
Проверить статус статьи


ЖЭТФ, Том 157, Вып. 3, стр. 498 (Март 2020)
(Английский перевод - JETP, Vol. 130, No 3, March 2020 доступен on-line на www.springer.com )

Исследование в рамках подхода abinitio взаимосвязи структурных, магнитных и оптических свойств нормальных и обратных шпинелей MnGa2O4
Жандун В.С., Немцев А.В.

Поступила в редакцию: 28 Мая 2019

DOI: 10.31857/S0044451020030104

PDF (1524.5K)

Проведены исследование ab initio и сравнение электронных, магнитных и оптических свойств MnGa2O4 в структурах нормальной и обратной шпинелей. Приближение обобщенного градиента (GGA) предсказывает, что нормальная шпинель MnGa2O4 является полупроводником с шириной запрещенной зоны около 0.7 эВ, тогда как в структуре обратной шпинели запрещенная зона появляется только в рамках подхода GGA + U. В рамках простой модели обменных взаимодействий рассчитаны обменные интегралы. В обоих структурных типах MnGa2O4 проявляет антиферромагнитное поведение, при этом нормальная структура является более энергетически выгодной. Обратная шпинель становится выгодной только при приложении отрицательного давления. Исследование спектров поглощения нормальной шпинели показывает наличие окна прозрачности на длинах волн выше 450 нм.

 
Сообщить о технических проблемах